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IRFBC30AS

Power MOSFETs

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFBC30AS

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A)

Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt

IRF

International Rectifier

IRFBC30AS

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFBC30AS

Power MOSFET

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IRFBC30ASPBF

Power MOSFETs

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo

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IRFBC30ASTRLPBFA

Power MOSFETs

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo

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IRFBC30ASTRRPBFA

Power MOSFETs

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IRFBC30AS_V01

Power MOSFET

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詳細參數

  • 型號：

    IRFBC30AS

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
TO-263
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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只做原裝正品渠道訂貨
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免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
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更多IRFBC30AS供應商 更新時間2025-3-17 14:00:00

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