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IRF9Z24NSTRLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NSTRR	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24PBF	文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24PBF	文件：1.81473 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRF9Z24S	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24S	文件：311.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.28ohm,Id=-11A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24S	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Surfacemount(IRF9Z24S,SiHF9Z24S) ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24SPBF	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24SPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24STRL	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFI9Z24G	文件：2.028 Mbytes Page：7 Pages	IsolatedPackage	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFI9Z24G	文件：173.66 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF9Z24NSTRLHR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF9Z24NSTRLPB	IR	22+		6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF9Z24NSTRLPB	IR	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRF9Z24NSTRLPB	IR	23+		7000		詢價
深圳市弘為電子有限公司	IRF9Z24NSTRLPBF	IR	16+	原廠封裝	4800	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRF9Z24NSTRLPBF	IR	23+	TO-263(D	7300	專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)	詢價
深圳市達恩科技有限公司	IRF9Z24NSTRLPBF	Infineon	18+	NA	3000	進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190	詢價
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRF9Z24NSTRLPBF	IR	24+	SMD	12000		詢價
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更多IRF9Z24NSTRLHR供應(yīng)商更新時間2025-1-3 14:00:00

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