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IRF9953	文件：107.4 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9953PBF	文件：206.63 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9953PBF	文件：212.12 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF9953PBF_15	文件：212.12 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
L9953	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L9953	文件：541.52 Kbytes Page：38 Pages	Dooractuatordriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L9953LXP	文件：363.81 Kbytes Page：35 Pages	Dooractuatordriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L9953LXP	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L9953TR	文件：541.52 Kbytes Page：38 Pages	Dooractuatordriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L9953XP	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L9953XP	文件：541.52 Kbytes Page：38 Pages	Dooractuatordriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L9953XPTR	文件：541.52 Kbytes Page：38 Pages	Dooractuatordriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
NDS9953A	文件：342.68 Kbytes Page：10 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDS9953A-NL	文件：1.05507 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PE9953	文件：118.61 Kbytes Page：1 Pages	BREAKOUT,CRIMPONFORRG58,STANDARDSTACKINGBANANAPLUGS	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
RT9953	文件：485.83 Kbytes Page：19 Pages	41CHPowerManagementIC	RichTekRichtek Technology Corporation 立锜科技股份有限公司	RichTek
RT9953GQW	文件：163.94 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RT9953GQW	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A) ●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RT9953GQW	文件：120.9 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RT9953GQW	文件：96.42 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF9953
功能描述：
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
HEXFET®
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多IRF9953供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-31 16:00:00

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