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IRF7703

Power MOSFET(Vdss=-40V)

Description HEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex

IRF

International Rectifier

IRF7703GPBF

HEXFETPower MOSFET Ultra Low On-Resistance

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IRF

International Rectifier

IRF7703PBF

Ultra Low On-Resistance

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IRF

International Rectifier

KRF7703

HEXFETPowerMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

NCV7703

TripleHalf-BridgeDriverwithSPIControl

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NCV7703B

TripleHalf-BridgeDriverwithSPIControl

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NCV7703C

TripleHalf-BridgeDriverwithSPIControl

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NJU7703

VOLTAGEDETECTOR

NJRCNew Japan Radio

新日本無線株式會社

NJU7703F

VOLTAGEDETECTOR

NJRCNew Japan Radio

新日本無線株式會社

NT7703

160OutputLCDSegment/CommonDriver

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

詳細參數

  • 型號:

    IRF7703

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRF7703供應商 更新時間2025-1-27 14:02:00