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IRF7726TR

Ultra Low On-Resistance

Description HEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex

IRF

International Rectifier

L7726

RedLEDforopticallinkEmitterfor156MbpsPOFcommunications

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學(xué)株式會(huì)社

L7726

Emitter/receiverfor156MbpsPOFcommunications

L7726andS7726aredesignedforhigh-speedPOF(PlasticOpticalFiber)communications.Bothdevicesaremoldedintominiatureplasticpackageswithlenses,allowingeasyandefficientcouplingtoaPOF.S7727usesamonolithicphotoICthatensureshighresistancetoexternalnoiseandhighrelia

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學(xué)株式會(huì)社

NCV7726A

Half-BridgeDriver

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCV7726B

Half-BridgeDriver

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NJU7726X

High-Speed,Rail-to-RailInput,CMOSComparator

FEATURES (V+=5V,Typicalvalue,Ta=25°C) ?PropagationDelay(TPLH/TPHL) -NJU7725x42ns/35ns -NJU7726x125ns/32ns ?Rail-to-RailCommon-ModeInputVoltageRange 0.2VbeyondSupplyRails ?DynamicTransientStabilizerTM -Rail-to-RailInputwithlesspropagationdelay fluctuat

NISSHINBONisshinbo Micro Devices Inc.

日清紡微電子?清紡微電?株式會(huì)社

NJU7726X

High-Speed,Rail-to-RailInput,CMOSComparator

FEATURES (V+=5V,Typicalvalue,Ta=25°C) ?PropagationDelay(TPLH/TPHL) -NJU7725x42ns/35ns -NJU7726x125ns/32ns ?Rail-to-RailCommon-ModeInputVoltageRange 0.2VbeyondSupplyRails ?DynamicTransientStabilizerTM -Rail-to-RailInputwithlesspropagationdelay fluctuat

NISSHINBONisshinbo Micro Devices Inc.

日清紡微電子?清紡微電?株式會(huì)社

NJU7726X

UltraLowPower,ExcellentEMIImmunity,Rail-to-RailInput,CMOSComparator

FEATURES (V+=3V,Typicalvalue,Ta=25°C) ?UltraLowPower Single0.7μA(allchannel) Dual1.2μA(allchannel) ?IntegratedEMIFilterEMIRR=100dB(f=1.8GHz) ?Rail-to-RailInput -Common-ModeInputVoltageRangeV?toV++0.2V ?DynamicTransientStabilizerTM -Rail-to-RailInput

NISSHINBONisshinbo Micro Devices Inc.

日清紡微電子?清紡微電?株式會(huì)社

PFS7726H

PFCControllerwithIntegrated600VMOSFETandDiodeOptionOptimizedforHighPFandEfficiencyAcrossLoadRange

KeyBenefits ?Highefficiencyandpowerfactoracrossloadrange ?>95efficiencyfrom10loadto100load ?0.95achievableat20loadforHandLpackages ?ProgrammablePowerGood(PG)signal ?Digitallinepeakdetectionforrobustperformance

POWERINTPower Integrations, Inc.

荷蘭帕沃英蒂格盛有限公司

SI7726DN

N-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

FEATURES ?Halogen-free ?SkyFETMonolithicTrenchFET?Power MOSFETandSchottkyDiode ?LowThermalResistancePowerPAK? PackagewithSmallSizeandLow1.07mmProfile ?100RgTested APPLICATIONS ?DC/DCConverter -Notebook -POL

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF7726TR

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
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更多IRF7726TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 15:04:00

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