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IRF7341IPBF	文件：138.32 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341PBF	文件：163.97 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341PBF	文件：158.59 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedand ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341Q	文件：156.51 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET?PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFET’sarea17	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QPBF	文件：231.77 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET?PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QTRPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET?PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341TR	文件：340.07 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboard	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRF7341TR	文件：379.66 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnology TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboardspace.Thepa	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7341TR	文件：117.72 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341TRPBF	文件：163.98 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341TRPBF	文件：1.1291 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175?CMOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
ISO7341C	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ISO7341CDW	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ISO7341CDWR	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ISO7341FC	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ISO7341FCDW	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ISO7341FCDWR	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LM7341	文件：900.81 Kbytes Page：27 Pages	Rail-to-RailInput/Output?15V,4.6MHzGBW,OperationalAmplifierinSOT-23Package	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
LM7341	文件：587.33 Kbytes Page：20 Pages	?15V,4.6MHzGBW,OperationalAmplifierinSOT-23Package	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF7341IPBF
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF7341IPBF	IR	24+	8-SOIC	380		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF7341IPBF	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	IRF7341IPBF	International Rectifier	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市勝彬電子有限公司	IRF7341IPBF	IR	22+	SOP-8	8000	原裝正品支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF7341IPBF	IR	22+	SOP8	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市能元時(shí)代電子有限公司	IRF7341IPBF	IR	23+	SOP8	66550	##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRF7341IPBF	IR	22+	SOP-8	20000	原裝現(xiàn)貨,假一罰十	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF7341IPBF	IR	23+	SOP8	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRF7341IPBF	IR	23+	SOP8	7000		詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRF7341ITR	IR	23+	SOP8	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)

更多IRF7341IPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 16:30:00

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