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IRF7341QPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
IRF7341QPBF規(guī)格書(shū)詳情
Description
These HEXFET ? Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Benefits
? Advanced Process Technology
? Dual N-Channel MOSFET
? Ultra Low On-Resistance
? 175°C Operating Temperature
? Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
? Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF7341QPBF
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
6250 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) | ||
IOR |
24+ |
SOP-8 |
35210 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOP-8 |
28000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
IR |
2022 |
SOP-8 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
1600 |
絕對(duì)全新原裝!優(yōu)勢(shì)供貨渠道!特價(jià)!請(qǐng)放心訂購(gòu)! |
詢價(jià) | ||
IR |
2013 |
80 |
公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣中! |
詢價(jià) | |||
IR |
22+ |
SOIC-8 |
18000 |
只做全新原裝,支持BOM配單,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOIC-8 |
25500 |
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
SOIC-8 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
7000 |
詢價(jià) |
