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IRF7304	文件：243.89 Kbytes Page：6 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7304	文件：427.86 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7304；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free Features VDS(V)=-20V RDS(ON)140m(VGS=-2.7V) RDS(ON)90m(VGS=-4.5V) TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframeforenhan	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7304	文件：394.76 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel MOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=-20V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRF7304PBF	文件：231.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7304QPBF	文件：252.54 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF7304QTRPBF	文件：1.19559 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitches	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRF7304TR	文件：115.39 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7304TR	文件：427.86 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7304；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free Features VDS(V)=-20V RDS(ON)140m(VGS=-2.7V) RDS(ON)90m(VGS=-4.5V) TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframeforenhan	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7304TR	文件：394.76 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7304；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=-20V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRF7304PBF	文件：237.13 Kbytes Page：9 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF7304
功能描述：
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
HEXFET®
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁(yè)面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多IRF7304供應(yīng)商更新時(shí)間2025-4-12 11:36:00

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