IRF530L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF530L規(guī)格書詳情
Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
? Advanced Process Technology
? Ultra Low On-Resistance
? Dynamic dv/dt Rating
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF530L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
3898 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
INTERNATIONA |
21+ |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO220 |
5500 |
現(xiàn)貨,全新原裝 |
詢價(jià) | ||
24+ |
TO-220 |
678 |
詢價(jià) | ||||
IR |
2022 |
TO-220 |
6800 |
原廠原裝正品,價(jià)格超越代理 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO263 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
