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IRF5305S中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF5305S
廠商型號

IRF5305S
功能描述

-55V P-Channel MOSFET
絲印標識

IRF5305S
封裝外殼

TO-263
文件大小

3.58041 Mbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI【翊歐】

中文名稱

翊歐半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-5-15 22:58:00
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IRF5305S規(guī)格書詳情

Features

VDS (V) =-55V

ID = -31A (VGS = -10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF5305S

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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