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IRF3315L
廠商型號

IRF3315L
功能描述

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)
文件大小

197.25 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網
原廠標識
數(shù)據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-9 16:30:00

IRF3315L規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRF3315S)

● Low-profile through-hole (IRF3315L)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產品屬性

  • 型號：

    IRF3315L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 150V 21A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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