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IRF331分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

IRF331
廠商型號(hào)

IRF331

參數(shù)屬性

IRF331 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

208.64 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-16 16:50:00

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IRF331規(guī)格書詳情

FEATURES

● Low RDS(on)

● Improved inductive ruggedness

● Fast switching times

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Low Input capacitance

● Extended safe operating area

● Improved high temperature reliability

● TO-3 package (Standard)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRF3314STRR

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 描述:

    MOSFET N-CH 150V D2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
22+23+
TO-263
42797
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
24+
TO-3
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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
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TO-3P
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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