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LH1503AB

2FormASolidStateRelay

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

LH1503AB

2FormASolid-StateRelay

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

LM1503

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LMS1503

N-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

LT1503G

1.5AGLASSPASSIVATEDRECTIFIER

Features GlassPassivatedDieConstruction DiffusedJunction HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto50APeak LowReverseLeakageCurrent PlasticMaterial-ULFlammabilityClassification94V-0

DIODES

Diodes Incorporated

LTR-C1503

IREmitterandDetector

LITEONLite-On Technology Corporation

光寶科技光寶科技股份有限公司

MB1503

LOW-POWERPLLFREQUENCYSYNTHESIZERWITHPOWERSAVEFUNCTION(1.1GHz)

LOW-POWERPLLFREQUENCYSYNTHESIZERWITHPOWERSAVEFUNCTION(1.1GHz) TheFujitsuMB1503isaserialinputphase-lockedloop(PLL)frequencysynthesizerwithapulse-swallowfunction.Astand-bymodeisprovidedtolimitpowerconsumptionduringintermittentoperation. TheMB1503isconfiguredo

FujitsuFujitsu Component Limited.

富士通富士通株式會社

MDD1503

SingleN-channelTrenchMOSFET30V,87.5A,4.7m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDD1503RH

SingleN-channelTrenchMOSFET30V,87.5A,4.7m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MM1503

VideoSwitch?75??driver?Y/Cmix

Outline ThisICextendstheseriesofICsforvideo/audiosignalswitching,witha2-input1-outputsinglevideoswitch,videosignal/chromasignal75?driver,andY/Cmixingcircuitinonesmallpackage(SOT-26). Features (1)Lowpowerconsumptionachieved. (2)Lowpowersupplyvolt

MITSUMIMitsumi Electronics, Corp.

三美三美電機株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF1503LPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 75A TO-262

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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21+
TO263
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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