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IRF1407PBF

HEXFET? Power MOSFET

Description ThisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti

IRF

International Rectifier

IRF1407PBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRF1407PBF_15

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRF1407S

PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078??Id=100A??

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF1407S

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF1407SPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF1407SPBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF1407SPBF

HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=75V,RDS(on)=0.0078廓,ID=100A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF1407STRLPbF

HEXFET?PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

KI1407DL

P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF1407PBF

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IR
24+
TO-220
20540
保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IR
2020+
TO-220
9600
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
IR
2020+
TO-220
22000
全新原裝正品 現(xiàn)貨庫存 價(jià)格優(yōu)勢
 詢價(jià)
INFINEON/IR
1907+
NA
4450
20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨
 詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
TO-220AB
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IR
24+
TO-220
15000
全新原裝的現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
16+
TO-220
6321
全新原裝/深圳現(xiàn)貨庫2
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220AB
65400
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO-220
18494
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
IR
2020+
TO-220
8000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
更多IRF1407PBF供應(yīng)商 更新時間2025-3-26 17:24:00

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