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IRF10N40	文件：100.28 Kbytes Page：3 Pages	POWER MOSFET	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
MSF10N40	文件：1.1309 Mbytes Page：7 Pages	400VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB10N40E	文件：331.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTB10N40E	文件：273.15 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB10N40E	文件：282.56 Kbytes Page：11 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP10N40	文件：85.2 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP10N40	文件：249.4 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES400VOLTSRDS(on)=0.55OHMS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchi	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP10N40E	文件：249.4 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES400VOLTSRDS(on)=0.55OHMS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchi	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP10N40E	文件：234.83 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelEnhancement??odeSiliconGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP10N40E	文件：1.033119 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTW10N40E	文件：70.14 Kbytes Page：2 Pages	TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTW10N40E	文件：322.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTB10N40	文件：305.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTB10N40	文件：148.24 Kbytes Page：4 Pages	N??hannelPowerMOSFET 10AMPERES400VOLTSRDS(on)=500m? Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,powermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?HigherCurrentRating ?LowerRDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotalGateCharge ?Tig	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTP10N40	文件：148.24 Kbytes Page：4 Pages	N??hannelPowerMOSFET 10AMPERES400VOLTSRDS(on)=500m? Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,powermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?HigherCurrentRating ?LowerRDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotalGateCharge ?Tig	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
P10N40HA	文件：1.033119 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHB10N40	文件：345.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·Switch-modePowerSupplies ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHB10N40	文件：69.81 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforusei	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB10N40T	文件：1.03829 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies ?Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHP10N40	文件：54.3 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF10N40
制造商：
SUNTAC
制造商全稱：
SUNTAC
功能描述：
POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市鼎欣微電子有限公司	IRF10N65	IRF	21+	TO220F	19000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市晨豪科技有限公司	IRF10N65	INFINEON/英飛凌	23+	TO-220F	89630	當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	IRF10N70	AN	22+	TO-220F	32350	原裝正品假一罰十公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRF10N70	AN	2048+	TO-220F	9851	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRF10N70	AN	23+	TO-220F	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF10N70	AN	23+	TO-220F	85	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IRF10N80	IR	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF10N80	IR	TO-220	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF10N80	IR	23+	TO-220	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRF10N80	IR	22+	TO-220	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)

更多IRF10N40供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 9:03:00

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