IRF1010ZS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF1010ZS規(guī)格書詳情
AUTOMOTIVE MOSFET
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF1010ZS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
13920 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
D2-PAK |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA |
7000 |
工廠現(xiàn)貨!原裝正品! |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-263 |
5587 |
原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||
IR |
22+23+ |
TO-263 |
27274 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
D2-Pak |
68900 |
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
詢價 | |||
VBsemi |
24+ |
TO263 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 |
