IRF1010ZL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF1010ZL規(guī)格書詳情
AUTOMOTIVE MOSFET
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF1010ZL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
4250 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢!? |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價(jià) | |||
IOR |
2020+ |
DIP |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-262 |
8900 |
英瑞芯只做原裝正品!!! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
8000 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IR |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IOR |
0715+ |
DIP |
9 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) |
