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IRF1010NS	文件：146.82 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NS	文件：1.07508 Mbytes Page：10 Pages	Fully Avalanche Rated Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1010NS	文件：263.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1010NSPBF	文件：297.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NSPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NSPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NSPBF_15	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NSTRRPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010Z	文件：302.08 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010Z	文件：338.26 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤7.5m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1010ZL	文件：302.08 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZLPBF	文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZLPBF	文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZPBF	文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZPBF	文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZS	文件：302.08 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZS	文件：263.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1010ZSPBF	文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ZSPBF	文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1010	文件：109.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.012ohm,Id=49A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF1010NS
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市亞泰盈科電子有限公司	IRF1010NS	IR/VISHAY		SOT-263	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF1010NS	IR	17+	D2-Pak	31518	原裝正品可含稅交易	詢(xún)價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF1010NS	IR	24+	N/A	8000	全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售	詢(xún)價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRF1010NS	IR	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢(xún)價(jià)
深圳市中福國(guó)際管理有限公司	IRF1010NS	INFINEON/英飛凌	23+	TO263-3	360000	專(zhuān)業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低	詢(xún)價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRF1010NS	IR	06+	TO-263	10000	全新原裝絕對(duì)有貨	詢(xún)價(jià)
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	IRF1010NS	IR	24+	TO-263	5		詢(xún)價(jià)
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深圳市博浩通科技有限公司	IRF1010NS	IR	23+	D2-Pak	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRF1010NS	IR	23+	TO-263	35890		詢(xún)價(jià)

更多IRF1010NS供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-15 14:00:00

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