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IRDC3710-DF	文件：726.33 Kbytes Page：13 Pages	USER GUIDE FOR IRDC3710-DF EVALUATION BOARD	IRF International Rectifier	IRF
IRDC3710-DF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：盒類別：開發(fā)板，套件，編程器評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS 描述：BOARD EVAL SYNC BUCK CONTROLLER	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRDC3710-QFN	文件：693.58 Kbytes Page：13 Pages	USERGUIDEFORIRDC3710-QFNEVALUATIONBOARD	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=23mohm,Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710	文件：346.96 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
IRF3710	文件：715.62 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3710	文件：280.15 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET(100V/59A)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF3710	文件：65.319 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3710L	文件：184.53 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025ohm,Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710L	文件：300.38 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3710LPBF	文件：279.47 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=23m廓,ID=57A) VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710PBF	文件：185.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710PBF	文件：1.6614 Mbytes Page：7 Pages	57A,100VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
IRF3710S	文件：184.53 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025ohm,Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710S	文件：189.08 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3710SPBF	文件：279.47 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=23m廓,ID=57A) VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710STRLPBF	文件：297.54 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710STRRPBF	文件：297.54 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710Z	文件：270.17 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710Z	文件：4.63191 Mbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IRDC3710-DF
制造商：
Infineon Technologies
類別：
開發(fā)板，套件，編程器 > 評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS
系列：
SupIRBuck?
包裝：
盒
主要用途：
DC/DC，步降
輸出和類型：
1，非隔離
電壓 - 輸出：
1.1V
電流 - 輸出：
24A
電壓 - 輸入：
8V ~ 19V
穩(wěn)壓器拓?fù)洌?/span>
降壓
頻率 - 開關(guān)：
300kHz
板類型：
完全填充
所含物品：
板
使用的 IC/零件：
IR3710
描述：
BOARD EVAL SYNC BUCK CONTROLLER

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市艾宇欣科技有限公司	IRDC3710-DF	Infineon	1931+	N/A	493	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	IRDC3710-DF	Infineon	22+	NA	493	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
深圳市億智騰科技有限公司	IRDC3710-DF	Infineon Technologies	24+	原裝	5000	原裝正品,提供BOM配單服務(wù)	詢價
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天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRDC3710-DF	INFINEON	23+	Design Kit	7000		詢價
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更多IRDC3710-DF供應(yīng)商更新時間2025-1-8 10:18:00

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