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IRD3910

20 AND 30 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

Description ThisrangeoffastrecoverydiodesisdesignedforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,choppers,ultrasonicsystemandforuseasafree-wheelingdiode. Features ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■Stu

IRF

International Rectifier

IRD3910

Rectifiers Fast Recovery

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

IRD3910

Package：DO-203AB，DO-5，接線柱；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

IRD3910R

Package：DO-203AB，DO-5，接線柱；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

IRFR3910

UltraLowOn-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR3910

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds=0.115ohm,Id=16A)

IRF

International Rectifier

IRFR3910

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤115m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFR3910

TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.

Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

IRFR3910

MOSFET

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Powerdissipationlevelsupto1.5watts arepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

IRFR3910PBF

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRD3910

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    管件

  • 二極管類型：

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    30A

  • 速度：

    快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    底座，接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    DO-203AB，DO-5，接線柱

  • 供應商器件封裝：

    DO-203AB（DO-5）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -40°C ~ 125°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRD3910供應商 更新時間2025-3-20 11:34:00

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