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IRF140	文件：211.32 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF140	文件：22.12 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF140	文件：146.34 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,27A,60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF140	文件：144.37 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=100V,Rds(on)=0.077ohm,Id=28A) TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRF International Rectifier	IRF
IRF140	文件：55.94 Kbytes Page：7 Pages	28A,100V,0.077Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF140	文件：147.86 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRF International Rectifier	IRF
IRF140	文件：103.6 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,27A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF140	文件：48.3 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications DESCRIPTION ?DrainCurrentID=27A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage-:VDSS=100V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.085Ω(Max) ?HighPower,HighSpeedApplications APPLICATIONS ?Switchingpowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF140SMD	文件：22.64 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM140	文件：211.73 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETTRANSISTOR 100Volt,0.077OhmHEXFET TheHEXFET?technologyisthekeytointernationalRectifiersadvancelineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. FEATURES: ■RepetitiveAvalancheRating ■IsolatedandHer	IRF International Rectifier	IRF
IRFM140	文件：621.05 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM140	文件：215.75 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN140	文件：218.08 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.077ohm,Id=28A) RDS(on)0.077? ID28A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establi	IRF International Rectifier	IRF
IRFN140	文件：186.73 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN140SMD	文件：22.56 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP140	文件：104.33 Kbytes Page：7 Pages	31A,100V,0.077Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFP140	文件：1.82938 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredfor commercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclud	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP140	文件：1.76683 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP140	文件：444.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforapplicationsuchasswitchingregulators,switchingconvertors,motordriversandsoon. FEATURES ?DrainCurrent–ID=31A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.077Ω(Max) ?SOAispowerdissipati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP140	文件：1.78938 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRCC140
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRCC140	IR	22+		6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRCC140	IR	23+		8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRCC140	IR	23+		8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRCC140	IR	23+		7000		詢價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	IRCELCH4	Micro-point	13+	Sensor	1283	原裝分銷	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	IRCELCH4	CITY		SENSOR	145	一級代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRCELCO2	CITY	23+	SENSOR	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRCFL	IR	21+	SMD-8	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市晨豪科技有限公司	IRCFL	INFINEON/英飛凌	23+	SOP-8	89630	當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多IRCC140供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 14:00:00

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