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IPBH6N03LAG	文件：280.51 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPSH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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MMDF6N03HD	文件：236.06 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET6Amps,30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMDF6N03HD	文件：207.39 Kbytes Page：10 Pages	DUALTMOSPOWERMOSFET30VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualH	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MMFT6N03HD	文件：74.16 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWER6.0AMPERES30VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
PHT6N03LT	文件：53.16 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHT6N03LTissuppliedintheSOT223surfa	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHT6N03T	文件：70.3 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technology,thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintende	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
SSM6N03FE	文件：137.69 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchApplications ?Inputimpedanceishigh.Drivingcurrentisextremelylow. ?CanbedirectlydrivenbyaCMOSdeviceevenatlowvoltagedueto lowgatethresholdvoltage. ?High-speedswitching. ?Housedinaultra-smallpackagewhichissui	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
SSM6N03FE	文件：147.48 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
YFW6N03LI	文件：1.32697 Mbytes Page：5 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE

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詳細參數(shù)

型號：
IPUH6N03LBG
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IPUH6N03LBG	INFINEON	24+	IPAK(TO-251)	8866		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IPUH6N03LBG	INFINEON	23+	TO251-3	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IPUH6N03LBG	INFINE0N	23+	TO-251	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	IPUH6N03LBG	INFINEON	2023+	IPAK(TO-	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IPUH6N03LBG	INFINEON	1503+	TO251-3	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IPUH6N03LBG	INFINEON/英飛凌	23+	TO-251	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	IPUH6N03LBG	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IPUH6N03LBG	INFINEON/英飛凌	23+	TO-251	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IPUH6N03LBG	Infineon/英飛凌	21+	TO-251	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IPUH6N03LBG	Infineon Technologies	22+	TO2513 Short Leads IPak TO251A	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價

更多IPUH6N03LBG供應(yīng)商更新時間2025-1-12 16:30:00

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