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EMA04N03A	文件：236.61 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS25V RDSON(MAX.)4mΩ ID80A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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詳細參數(shù)

型號：
IPS04N03LA G
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
RoHS：
是
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列：
OptiMOS™
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IPS04N03LA G供應商更新時間2024-11-17 11:04:00

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