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IPS05N03LAG	文件：404.37 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2 Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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EMB05N03GH	文件：188.48 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB05N03HR	文件：218.13 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)5.0mΩ ID75A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FTD05N03NA	文件：1.19741 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET Applications: ●Adaptor ●Charger ●SMPS Features: ●RoHSCompliant ●LowONResistance ●LowGateCharge ●PeakCurrentvsPulseWidthCurve ●InductiveSwitchingCurves	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IPS05N03LAG
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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