首頁 >IPP60R190E6>規(guī)格書列表

零件編號(hào)下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IPP60R190E6

600V CoolMOS E6 Power Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R190E6

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP60R190E6

Marking：6R190E6；Package：PG-TO220；600V CoolMOS? E6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R190E6

600V CoolMOS? E6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R190E615

600V CoolMOS? E6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPP60R190E6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IIPW60R190E6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA60R190E6

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplica

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA60R190E6

600VCoolMOS?E6PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA60R190E6

600VCoolMOS?E6PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPP60R190E6

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 20.2A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
21+
TO220-3
20000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO-220
18506
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
2021+
TO-220
9450
原裝現(xiàn)貨。
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
21+
TO220
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO220
67
原廠授權(quán)代理 價(jià)格絕對(duì)優(yōu)勢
 詢價(jià)
英飛翎
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
INFINEON
23+
NA
15000
原裝現(xiàn)貨，實(shí)單價(jià)格可談，聯(lián)系章
 詢價(jià)
INFINEON
23+
15000
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨。
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO-220
8145
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
19+
TO-220
3495
正規(guī)渠道原裝正品
 詢價(jià)
更多IPP60R190E6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-12 10:10:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多