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IPP60R099CP	文件：324.4 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS Power Transistor Features ?WorldwidebestRds,oninTO220 ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: ?HardswitchingSMPStopologiesfor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IIPW60R099CP	文件：336.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighPeakCurrentCapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤99m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPB60R099CP	文件：324.07 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?WorldwidebestRds,oninTO263 ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: ?HardswitchingSMPStopologiesfor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB60R099CP	文件：189.06 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPB60R099CPA	文件：488.83 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?WorldwidebestRds,oninTO263 ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?AutomotiveAECQ101qualified ?Greenpackage(RoHScompliant) CoolMOSCPAisspeciallydesignedfor: ?DC/DCconvertersforAutomotiveApplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPI60R099CP	文件：331.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.099? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPI60R099CP	文件：551.62 Kbytes Page：10 Pages	Highpeakcurrentcapability Features ?WorldwidebestRds,oninTO220 ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPI60R099CP	文件：311.78 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor Features ?WorldwidebestRds,oninTO220 ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: ?HardswitchingSMPStopologiesfor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPI60R099CP	文件：290.76 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPI60R099CPA	文件：434.11 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?WorldwidebestRds,oninTO262 ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?AutomotiveAECQ101qualified ?Greenpackage(RoHScompliant) CoolMOSCPAisspeciallydesignedfor: ?DC/DCconvertersforAutomotiveApplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPW60R099CP	文件：582.92 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistorFeaturenewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPW60R099CP	文件：355.37 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Ultralowgatecharge CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: ?HardswitchingSMPStopologiesfor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPW60R099CP	文件：336.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighPeakCurrentCapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤99m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPW60R099CPA	文件：376.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=31A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.105Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPW60R099CPA	文件：477.94 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?AutomotiveAECQ101qualified ?Greenpackage(RoHScompliant) CoolMOSCPAisspeciallydesignedfor: ?DC/DCconvertersforAutomotiveApplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPP60R099CP
功能描述：
MOSFET MOSFET N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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