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IPD30N03S2L-07

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-07

OptiMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-07

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPD30N03S2L-07

OptiMOSaPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

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SPD30N03S2L-07

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

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SPD30N03S2L-07G

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPD30N03S2L-07

  • 功能描述：

    MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 6.7mOhm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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終端可免費提供樣品,歡迎咨詢
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更多IPD30N03S2L-07供應(yīng)商 更新時間2025-3-12 9:34:00

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