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IPD20N03LG

OptiMOS??Buckconverterseries

Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?175°Coperatingtemperature ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingbuckconverters ?Pb.freeleadplating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPU20N03L

OptiMOSBuckconverterseries

OptiMOSBuckconverterseries Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingbuckconverters

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ME20N03

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MI20N03

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MTD20N03HDL

1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator

1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator The34701providesthemeanstoefficientlysupplytheFreescalePowerQUICC?I,II,andotherfamiliesofFreescalemicroprocessorsandDSPs.The34701incorporatesahighperformanceswitchingregulator,providingthedirectsupplyforthemi

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MTD20N03HDL

TMOSPOWERFETLOGICLEVEL20AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.035OHM

HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD20N03HDL

N-ChannelDPAKPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N03HDLG

N-ChannelDPAKPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N03HDLT

PowerMOSFET20Amps,30Volts,LogicLevel

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N03HL

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

NTD20N03

30VN-ChannelMOSFET

Features ?Ultra?LowRDS(on),SingleBase,AdvancedTechnology ?SPICEParametersAvailable ?DiodeisCharacterizedforuseinBridgeCircuits ?IDSSandV(on)SpecifiedatElevatedTemperatures ?HighAvalancheEnergySpecified TypicalApplications ?PowerSupplies ?InductiveLoads ?

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

NTD20N03G

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

NTD20N03HL

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

RFD20N03

20A,30V,0.025Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheRFD20N03andRFD20N03SMN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplications

Intersil

Intersil Corporation

RFD20N03SM

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

RFD20N03SM

20A,30V,0.025Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheRFD20N03andRFD20N03SMN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplications

Intersil

Intersil Corporation

SDD20N03L

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

SDD20N03L

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SDU20N03L

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?DC/DCConversion -SystemPower

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SDU20N03L

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPD20N03L G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 30A DPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON
24+
DPAK(TO-252)
8866
詢價(jià)
INFINEON
24+
TO-252
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
19+
TO-252
74339
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價(jià)
INFINE0N
23+
TO-252
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
INFIN
23+
NA
2419
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價(jià)
INFINEON
1822+
TO252
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO252
1552
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
INFINEON
18+
TO252
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)
 詢價(jià)
INFINEON
0630+
TO252
1552
剛到現(xiàn)貨加微13425146986
 詢價(jià)
Infineon Technologies
21+
PG-TO252-3
2500
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠信經(jīng)營)!
 詢價(jià)
更多IPD20N03L G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-2 16:30:00

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