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IPD068P03L3G-TP

Marking：068P03L；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ?Vos=30V.5=B0A @Reso=8ma@Ves=-10v ?Ro11mO@Vos=45V.

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

IIPD068P03L3

P-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD068P03L3

P-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD068P03L3G

-30VP-ChannelMOSFET

Features ?QualifiedaccordingJEDEC1)fortarget ?175°Coperatingtemperature ?100Avalanchetested ?Pb-free;RoHScompliant,halogenfree ?applications:powermanagement

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

IPD068P03L3G

singleP-ChannelinDPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD068P03L3G

OptiMOSTMP3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TECH PUBLIC(臺(tái)舟)
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三極管/MOS管/晶體管 > 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
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更多IPD068P03L3G-TP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-12 10:20:00

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