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IPB065N06LG

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesForfastswitchingconvertersandsync.rectification

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB065N06LG

OptiMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP065N06LG

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP065N06LG

OptiMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

RSH065N06

4VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RSH065N06

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

RSH065N06TB

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

RSS065N06

4VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RSS065N06FRA

Nch60V6.5AMiddlePowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RSS065N06-TB

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPB065N06L G

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 80A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IPB065N06L G供應商 更新時間2025-2-26 16:30:00

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