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IPB072N15N3-G

OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB072N15N3-G

OptiMOS 3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB072N15N3G

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPB072N15N3G

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PDF上傳者:深圳市周芯芯半導體有限公司

IPB072N15N3G

3Power-Transistor

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InfineonInfineon Technologies AG

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OptiMOS??Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)

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InfineonInfineon Technologies AG

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    IPB072N15N3-G

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    OptiMOS 3 Power-Transistor

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