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IPB016N06L3-G

OptiMOS?? Power-Transistor

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?N-channel,logiclevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHScompliant ?Qua

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AMIB016N06L3

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

KeyFeatures: ?LowrDS(on)trenchtechnology ?Lowthermalimpedance ?Fastswitchingspeed

AnalogPower

Analog Power

IPB016N06L3

OptiMOS??Power-Transistor

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?N-channel,logiclevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHScompliant ?Qua

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB016N06L3G

OptiMOS??Power-Transistor

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更多IPB016N06L3-G供應商 更新時間2024-10-28 15:45:00

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