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IPB029N06N3-G

OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB029N06N3

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB029N06N3G

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB029N06N3G

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesIdealforhighfrequencyswitchingandsync.rec.

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPB029N06N3-G供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 11:14:00