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IPA60R450E6

Isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplica

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA60R450E6

600V CoolMOS E6 Power Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easyto

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA60R450E6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA60R450E6

Material Content Data Sheet

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IPA60R450E6_14

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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IPA60R450E6_15

Material Content Data Sheet

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IPD60R450E6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R450E6

600VCoolMOSE6PowerTransistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easyto

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R450E6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.45? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP60R450E6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R450E6

600VCoolMOSE6PowerTransistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easyto

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPA60R450E6

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    CoolMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
AOS/萬代
23+
TO-220F
15000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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Infineon
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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INFINEON
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TO220F
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INFINEON
23+
TO-220F
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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INFINEON
20+
TO-220FullPAK
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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Infineon(英飛凌)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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INFINEON/英飛凌
23+
TO-220FullPAK
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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INFINEON
21+
TO-220FullPAK
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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INFINEON/英飛凌
2022
TO-220FullPAK
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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INFINEON/英飛凌
2022+
TO-220F
2000
原廠代理 終端免費提供樣品
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更多IPA60R450E6供應(yīng)商 更新時間2025-1-3 10:36:00

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