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IPA030N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Deviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3m?(max) ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPA030N10N3G

Marking：030N10N；Package：PG-TO220-FP；OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA030N10N3G

Marking：030N10N；Package：PG-TO220-FP；OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA030N10N3G_13

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA030N10N3G

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA030N10N3G_15

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI030N10N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPI030N10N3G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI030N10N3G

MaterialContentDataSheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP030N10N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPA030N10N3

  • 功能描述：

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INF
21+
TO220
9852
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價
Infineon
2025+
TO-220-3
32560
原裝優(yōu)勢絕對有貨
 詢價
英飛凌
24+
TO220F
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
INF
23+
TO220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
英飛凌
21+
TO220F
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
INF
24+
TO220
120
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
Infineon
22+
TO220-FP
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO220-FP
32365
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
Infineon
23+
TO220-FP
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
Infineon/英飛凌
24+
20000
全新、原裝、現(xiàn)貨
 詢價
更多IPA030N10N3供應商 更新時間2025-4-12 13:13:00

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