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最新LPDDR6標準發(fā)布!三星下半年量產(chǎn)

2025-7-18 9:41:00
  • JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布了新一代低功耗內(nèi)存標準LPDDR6(標準號JESD209-6),這為包括移動終端與人工智能平臺在內(nèi)的各類應(yīng)用帶來了更快的速度、更高的能效及更優(yōu)的安全性能。

最新LPDDR6標準發(fā)布!三星下半年量產(chǎn)

近日,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布了新一代低功耗內(nèi)存標準LPDDR6(標準號JESD209-6),這為包括移動終端與人工智能平臺在內(nèi)的各類應(yīng)用帶來了更快的速度、更高的能效及更優(yōu)的安全性能。LPDDR6的推出,標志著移動內(nèi)存技術(shù)又邁上了一個新的臺階。

性能方面的重大突破

LPDDR6采用了創(chuàng)新性的雙子通道(Dual Sub-channel)架構(gòu),從而帶來了更高的數(shù)據(jù)傳輸效率和更靈活的數(shù)據(jù)訪問。具體來說,新標準規(guī)定,每個內(nèi)存芯片配備兩個子通道,每個子通道擁有12條數(shù)據(jù)線(DQ),通過分布式命令/地址(CA)信號進一步優(yōu)化引腳數(shù)布局。這種設(shè)計不僅提升了信號傳輸速度,還帶來了高帶寬下的32字節(jié)精細訪問能力。此外,LPDDR6具備動態(tài)突發(fā)長度控制等機制,可按需支持32B或64B的數(shù)據(jù)訪問,兼顧靈活性和高效性。針對不同工作負載,還引入了靜態(tài)與動態(tài)效率模式、寫入端自適應(yīng)ODT(非目標管芯端接)等機制,進一步增強信號質(zhì)量和整體性能。

功耗和能效進一步優(yōu)化

與前代LPDDR5相比,LPDDR6的工作電壓更低,首次引入了VDD2低壓電源,且要求雙路供電,這對功耗控制極為有利。與此同時,新標準還集成了低功耗的動態(tài)電壓與頻率調(diào)節(jié)(DVFSL),支持在低速運行時智能降低電壓,顯著減少整體能耗。其它節(jié)能措施還包括交替時鐘命令輸入、多種刷新策略(主動刷新、部分自刷新),以及單子通道低功耗模式等,全面提升續(xù)航表現(xiàn)。

安全性與可靠性顯著增強

LPDDR6在數(shù)據(jù)安全與系統(tǒng)可靠性方面同樣做了多維度升級。新一代標準首次規(guī)定了“每行激活計數(shù)”(PRAC)功能,有效守護內(nèi)存數(shù)據(jù)完整性,同時還支持通過定義元數(shù)據(jù)分區(qū),將特定內(nèi)存區(qū)域?qū)iT分配給關(guān)鍵任務(wù),以提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。標準還加入了可編程鏈路保護機制、片上糾錯碼(ECC)、命令和地址信號奇偶校驗、錯誤清除及內(nèi)存自檢(MBIST)等技術(shù),大幅降低數(shù)據(jù)出錯風險,為各類終端的安全運行提供堅實保障。

JEDEC董事會主席Mian Quddus表示:“LPDDR6標準不僅兼顧了高性能與低功耗,還融入了更豐富的安全與保護功能,為移動計算和AI領(lǐng)域帶來理想的內(nèi)存解決方案?!?/p>

產(chǎn)業(yè)化進展與市場布局

據(jù)多家媒體報道,三星將于今年下半年率先采用新一代“1c DRAM”工藝批量生產(chǎn)LPDDR6,并計劃向高通等全球科技企業(yè)提供樣品。與此同時,高通下一代旗艦芯片“驍龍8 Elite Gen2”將率先兼容LPDDR6內(nèi)存,有望在9月23日舉行的驍龍技術(shù)峰會上正式亮相。截至目前,全球移動終端與AI硬件廠商正積極推進LPDDR6的商用及生態(tài)合作。