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IMYH200R024M1H中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IMYH200R024M1H
廠商型號(hào)

IMYH200R024M1H

功能描述

CoolSiC? 2000 V SiC Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

20M1H024

封裝外殼

PG-TO247-4-PLUS-NT14

文件大小

1.85569 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-10 16:04:00

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IMYH200R024M1H規(guī)格書(shū)詳情

Features

? VDSS = 2000 V at Tvj = 25°C

? IDCC = 89 A at Tc = 25°C

? RDS(on) = 24 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C

? Very low switching losses

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

? Robust body diode for hard commutation

? .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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