IMYH200R012M1H中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	IMYH200R012M1H
功能描述	CoolSiC? 2000 V SiC Trench MOSFET
絲印標識	20M1H012
封裝外殼	PG-TO247-4-PLUS-NT14
文件大小	1.86416 Mbytes
頁面數(shù)量	16 頁
生產(chǎn)廠商	Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱	INFINEON【英飛凌】
中文名稱	英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-6-10 16:04:00
人工找貨	IMYH200R012M1H價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

Features

? VDSS = 2000 V at Tvj = 25°C

? IDCC = 123 A at Tc = 25°C

? RDS(on) = 12 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C

? Very low switching losses

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

? Robust body diode for hard commutation

? .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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