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IMT65R083M1H

MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compatib

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IMT65R083M1HXUMA1

包裝:管件 封裝/外殼:8-PowerSFN 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè) 描述:SILICON CARBIDE MOSFET

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650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

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更多IMT65R083M1H供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 14:11:00