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IMBG65R083M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IMBG65R083M1H |
| 參數(shù)屬性 | IMBG65R083M1H 包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | PG-TO263-7-12 |
| 文件大小 |
1.53953 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-22 18:29:00 |
| 人工找貨 | IMBG65R083M1H價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IMBG65R083M1H規(guī)格書詳情
IMBG65R083M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMBG65R083M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IMBG65R083M1HXTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
6000 |
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詢價(jià) | |||
Infineon(英飛凌) |
20+ |
- |
1000 |
詢價(jià) | |||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
原廠 |
23+ |
TO-3PL |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2 |
詢價(jià) | |||||
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23+ |
SOT883B |
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23+ |
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