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IMBG65R022M1H分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IMBG65R022M1H |
| 參數(shù)屬性 | IMBG65R022M1H 包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | PG-TO263-7-12 |
| 文件大小 |
1.5931 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-23 9:32:00 |
| 人工找貨 | IMBG65R022M1H價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IMBG65R022M1H規(guī)格書詳情
IMBG65R022M1H屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMBG65R022M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IMBG65R022M1HXTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 包裝：
管件
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2423 |
con |
10 |
現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價格 |
詢價 | ||
STMICROELECTRONICS |
24+ |
SMD |
200 |
C19-變壓器 |
詢價 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
21+ |
N/A |
4884 |
全新原裝虧本出 |
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INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
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INFINEON |
22+ |
NA |
1010 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
INFINEON |
2 |
詢價 | |||||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
7350 |
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INFINEON |
23+ |
TO263 |
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INFINEON |
23+ |
K-B |
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