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IQTCQO-252KU

TemperatureCompensatedCrystalOscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

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IQTCQO-252KX

TemperatureCompensatedCrystalOscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

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IQTCXO-252

Temperaturecompensatedcrystaloscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

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IRF252

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on) ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highvoltage)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRF252

HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries

FEATURES: ?Fastswitchingtimes ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Excellenthighvoltagestability ?Lowinputcapacitance ?Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols ?AudioAmplifiers ?Invert

IXYS

IXYS Corporation

IRF252

N-CHANNEPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on))athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highv

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

IRF252

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on))athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highv

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

IRF252

NanosecondSwitchingSpeed

DESCRIPTION ?DrainCurrentID=25A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage:VDSS=200V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.12Ω(Max) ?NanosecondSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Switchingpowersupplies ?Switchingconverters,motordriver,relaydriver

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFP252

N-ChannelPowerMosfets

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRFP252

N-Channel(HexfetTransistors)

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ILD252

  • 制造商：

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 類別：

    隔離器 > 光隔離器 - 晶體管，光電輸出

  • 包裝：

    散裝

  • 電壓 - 隔離：

    5300Vrms

  • 電流傳輸比（最小值）：

    100% @ 10mA

  • 輸入類型：

    AC，DC

  • 輸出類型：

    晶體管

  • 電壓 - 輸出（最大值）：

    30V

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.2V

  • Vce 飽和壓降（最大）：

    400mV

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 100°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    8-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 描述：

    OPTOISO 5.3KV 2CH TRANS 8DIP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
INF
04+
2000
詢價
SIEMENS
23+
SOP-8
12735
詢價
INFINEON
24+
SMD-8
190
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INF
23+
DIP-6
2000
全新原裝
 詢價
SIEMENS
24+
DIP8
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
1822+
SOP8
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
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SIEMENS
21+
DIP8
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
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Siemens/西門子
22+
DIP8
30104
原裝正品現(xiàn)貨,可開13個點稅
 詢價
VIS/INF
2011+
DIPSOP8
20000
原裝現(xiàn)貨
 詢價
更多ILD252供應商 更新時間2025-3-25 13:00:00

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