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IRF252中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF252
廠商型號(hào)

IRF252

功能描述

N-CHANNE POWER MOSFETS

文件大小

136.22 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-27 19:49:00

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IRF252規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Rds(on) ) at high voltage

? Improved Inductive ruggedness

? Excellent high voltage stability

? Fast switching times

? Rugged polysillcon gate cell structure

? Low Input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

? TO-3 package (High voltage)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF252

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    N-CHANNEL POWER MOSFETS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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