IKW75N65ES5XKSA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-英飛凌

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原廠料號(hào):IKW75N65ES5XKSA1品牌:Infineon Technologies

資料說明:IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3

IKW75N65ES5XKSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝TO-247-3的IKW75N65ES5XKSA1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    ikw75n65es5xksa1

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明:

    IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IKW75N65ES5XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.75V @ 15V,75A

  • 開關(guān)能量:

    2.4mJ(開),950μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    40ns/144ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,75A,18 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
12913
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。
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Infineon Technologies
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TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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Infineon
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