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IKW20N60H3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IKW20N60H3 |
參數(shù)屬性 | IKW20N60H3 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3 |
功能描述 | High speed DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
1.6484 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-7 22:30:00 |
人工找貨 | IKW20N60H3價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IKW20N60H3規(guī)格書詳情
IKW20N60H3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW20N60H3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Features:
TRENCHSTOP? technology offering
? very low VCEsat
? low EMI
? Very soft, fast recovery anti-parallel diode
? maximum junction temperature 175°C
? qualified according to JEDEC for target applications
? Pb-free lead plating;RoHS compliant
? complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/igbt/
Applications:
? uninterruptible power supplies
? welding converters
? converters with high switching frequency
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IKW20N60H3FKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
TrenchStop?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,20A
- 開關(guān)能量:
800μJ
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
17ns/194ns
- 測試條件:
400V,20A,14.6 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO247-3-1
- 描述:
IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
24+ |
TO-247 |
80000 |
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詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-247 |
15000 |
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨 |
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英飛翎 |
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TO-247 |
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23+ |
TO3P |
21407 |
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Infineon/英飛凌 |
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PG-TO247-3 |
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INFINEON |
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