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IKW03N120H2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IKW03N120H2 |
| 參數(shù)屬性 | IKW03N120H2 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3 |
| 功能描述 | HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
381.11 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-18 20:00:00 |
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更多IKW03N120H2規(guī)格書詳情
IKW03N120H2屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW03N120H2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IKW03N120H2FKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，3A
- 開關能量：
290μJ
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
9.2ns/281ns
- 測試條件：
800V，3A，82 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
PG-TO247-3-1
- 描述：
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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