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IHW15T120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IHW15T120
廠商型號(hào)

IHW15T120
參數(shù)屬性

IHW15T120 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 30A 113W TO247-3
功能描述

IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IGBT 1200V 30A 113W TO247-3
文件大小

339 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-8 17:03:00

IHW15T120規(guī)格書詳情

IHW15T120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW15T120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IHW15T120FKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    2.7mJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    50ns/520ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，15A，56 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A 113W TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON
22+
TO-247
5000
絕對(duì)全新原裝現(xiàn)貨
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終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
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原廠原包裝
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INFINEON/英飛凌
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INFINEON/英飛凌
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