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IHW15N120R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IHW15N120R
廠商型號

IHW15N120R
參數(shù)屬性

IHW15N120R 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 30A 254W TO247-3
功能描述

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IGBT 1200V 30A 254W TO247-3
文件大小

370.62 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-8 16:52:00

IHW15N120R規(guī)格書詳情

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Features:

? Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage

? Body diode clamps negative voltages

? Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

? NPT technology offers easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat)

? Low EMI

? Qualified according to JEDEC1 for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

?Inductive Cooking

?Soft Switching Applications

IHW15N120R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW15N120R晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IHW15N120R3FKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    700μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    -/300ns

  • 測試條件：

    600V，15A，14.6 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A 254W TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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