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IRF10N40	文件：100.28 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
MSF10N40	文件：1.1309 Mbytes Page：7 Pages	400VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB10N40E	文件：331.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTB10N40E	文件：282.56 Kbytes Page：11 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTB10N40E	文件：273.15 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP10N40	文件：249.4 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES400VOLTSRDS(on)=0.55OHMS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchi	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP10N40	文件：85.2 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP10N40E	文件：1.033119 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP10N40E	文件：234.83 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelEnhancement??odeSiliconGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTP10N40E	文件：249.4 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES400VOLTSRDS(on)=0.55OHMS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchi	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTW10N40E	文件：70.14 Kbytes Page：2 Pages	TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTW10N40E	文件：322.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NTB10N40	文件：305.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NTB10N40	文件：148.24 Kbytes Page：4 Pages	N??hannelPowerMOSFET 10AMPERES400VOLTSRDS(on)=500m? Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,powermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?HigherCurrentRating ?LowerRDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotalGateCharge ?Tig	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTP10N40	文件：148.24 Kbytes Page：4 Pages	N??hannelPowerMOSFET 10AMPERES400VOLTSRDS(on)=500m? Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,powermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?HigherCurrentRating ?LowerRDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotalGateCharge ?Tig	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
P10N40HA	文件：1.033119 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHB10N40	文件：69.81 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforusei	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB10N40	文件：345.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·Switch-modePowerSupplies ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
PHB10N40T	文件：1.03829 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies ?Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHP10N40	文件：54.3 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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詳細參數(shù)

型號：
IGTP10N40A
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	IGTP10N40A		24+	N/A	46000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市星佑電子有限公司	IGTRU/2-1	ALCATEL		PLCC84	896	全新原裝100真實現(xiàn)貨供應	詢價
深圳市豪邁興電子有限公司	IGTRU/2-1	ALCATEL	2339+	PLCC-84	5825	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!	詢價
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深圳市華斯頓科技有限公司	IGTRU/2-1	ALCATEL	22+23+	PLCC-84	45497	絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IGTRU/2-1	ALCATEL	23+	PLCC84	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IGTRU/2-1	ALCATEL	2023+	PLCC84	50000	原裝現(xiàn)貨	詢價
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更多IGTP10N40A供應商更新時間2024-11-17 11:06:00

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