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IDT71V65802S100PFG

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:100-LQFP 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V65802S100PFG8

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:100-LQFP 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V65802S100BG

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S100BGI

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S100BQ

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S100BQI

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S100PF

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S100PFI

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IDT71V65802S100PFG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存儲容量:

    9Mb(512K x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-TQFP(14x14)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT
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更多IDT71V65802S100PFG供應(yīng)商 更新時間2024-11-20 16:30:00